技术指标

真空性能：溅射室极限真空度可达≤8.0×10⁻⁷Pa，样片室极限真空度≤2.0×10⁻³Pa；真空室漏气率≤5.0×10⁻⁸Pa·l/s。

溅射室规格：尺寸为φ450mm×380mm。

溅射靶：通常配置φ76.2mm标准磁场磁控溅射靶3只，聚焦模式上置共安装，自上向下溅射成膜。

工件台：可自转，转速在5~30rpm范围内可调。

样品加热：采用红外加热器，加热温度最高600℃，PID自动测温、控温，多段控温模式，控温精度±1%。

载片量：最大可放置1片φ100mm（4英寸）圆形样品。

主要功能

溅射功能多样：支持直流溅射、射频溅射，能够实现不停机的情况下，在样品上连续独立溅射、轮流溅射、共溅射，可制备各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。

自动化程度高：配备先进的电控系统，可实现对镀膜过程的自动化控制，包括真空度的自动调节、气体流量的精确控制、溅射功率和时间的设定等。

薄膜质量高：通过精确控制溅射参数，可制备出厚度均匀、结构致密、附着力强的高质量薄膜，溅射不均匀性≤±5%（φ4英寸范围内）。

所在单位 机电工程学院

生产厂商 中国科学院沈阳科学仪器公司

型号规格 定制

联系人  侯树森

联系电话 15738663100 

收费标准 200元/时